نموذج رياضي لحساب تأثير الضغط في الخواص الالكترونية لبلورة السيليكون

نظراً لما يحتلهُ السليكون من أهمية في المجالات الصناعية والتقنية، فقد قام العديد من الباحثين بدراسة خواصهِ الفيزيائية في الحالة الاعتيادية وفي حالة تعرضه للاجهادات15-1] [ وذلك لأمكان تعرض السليكون المستعمل في الأجهزة الالكترونية الحساسة الى اجهادات عالية في تطبيقات دراسة أعماق البحار أو عند التعرض إلى موجات الصدمة أو في اختبارات تحمل الطائرات والسفن للصدمات. ونظراً لصعوبة دراسة خواص البلورة عند تسليط ضغوط عالية عليها إما من الناحية العملية أو من الناحية الاقتصادية، فقد جرت العديد من الدراسات النظرية وباستعمال طرائق مختلفة منها (الطريقة العنقودية وطريقة دالة الكثافة الإلكترونية) وحققت الطريقة الاخيرة نتائج جيدة جداً لحساب الخواص الفيزيائية نظرياً. ولكن هذه الطريقة تحتاج إلى برامج متطورة نوعاً ما وتحتاج وقتاً طويلاً لإجراء الحسابات، لذا لجأنا الى طريقة أخرى وهي طريقة وحدة الخلية الكبيرة لنرى مدى امكانية تطبيقها ودقتها لحساب الخواص الفيزيائية، وذلك بعد ادخال التقريب (متوسط الأهمال الجزئي لتداخل المدارات الذرية (INDO)) بدلاً من التقريب (الاهمال الكلي لتداخل المدارات الذرية (CNDO)) وذلك لأنها اكثر دقة في الحسابات عند استعمالها لحساب خواص البلورات والجزيئات التي تكون قشرها الخارجية نصف ممتلئة.