انت هنا الان: الرئيسية » القسم الاكاديمي
المقالات الاكاديمية والبحثية

Preparation and Study I-V properties for Schottky Devices (Al-GaAs & Ni-GaAs) at forward bias

    لتحميل الملف من هنا
Views  1587
Rating  0
 براق يحيى كاظم السعدي 1/10/2012 1:18:51 PM
تصفح هذه الورقة الالكترونية بتقنية Media To Flash Paper



 Abstract
 
 
Four samples had been prepared by using two different metals (Al) with work function (4.13eV) and (Ni) with work function (5.01eV) as (Schottky contact) on (GaAs) semiconductor ( n-Type) , first we made the Ohmic contact for the samples by using (Al) with two samples and (Ni) with the others after that we annealed the samples under a vacuum pressure of the order (10 -4 Torr )and (450 K) for 30 min. in order to get a good contact resistance , then we made the Schottky contact with two samples (Al) and other two for (Ni) and (120 ?) thickness and we annealed the samples under (450 K ) and (10 -4 Torr) to avoid the interfacial layers ,the samples are:{Al-GaAs ( Al Ohmic ) / Al-GaAs (Ni Ohmic ) / Ni-GaAs (Al Ohmic ) / Ni-GaAs (Ni Ohmic ).} Then the I-V characteristics had been measured for the samples and then the saturation current and the barrier height of Schottky contact and the ideality factor is found for the Schottky contact and the specific contact resistance for Ohmic contact is calculated , and then we study the work function and the interfacial layer effect on I-V characteristics .

  • وصف الــ Tags لهذا الموضوع
  • PVA solution, mechanical properties, rheological properties, ultrasound technique

هذه الفقرة تنقلك الى صفحات ذات علاقة بالمقالات الاكاديمية ومنها الاوراق البحثية المقدمة من قبل اساتذة جامعة بابل وكذلك مجموعة المجلات العلمية والانسانية في الجامعة وعدد من المدنات المرفوعة من قبل مشرف موقع الكلية وهي كالاتي:

قسم المعلومات

يمكنكم التواصل مع قسم معلومات الكلية في حالة تقديم اي شكاوى من خلال الكتابة الينا,يتوجب عليك اختيار نوع الرسالة التي تود ان ترسلها لادارة الموقع :