انت هنا الان: الرئيسية » القسم الاكاديمي
المقالات الاكاديمية والبحثية
تصفح هذه الورقة الالكترونية بتقنية Media To Flash Paper

 
 Abstract :

 
Schottky devices had been prepared in our search by choosing the n-type GaAs as a semiconductor substrate with resistivity (2x10-6 Ohm.cm) and electron affinity (4.07 eV) and we choose two type of metal ( Al , Au) , the Schottky devices we prepared are {Al/GaAs with Al Ohmic contact} , { Al/GaAs with (Ge-Au) alloy with rate (0.12-0.88) as Ohmic contact } and { Au/GaAs with (Ge-Au) alloy with the same rate as Ohmic contact }, first we made the Ohmic contact then we made the Schottky contact by vacuum system evaporation under pressure ( 10 -5 Torr) and the film thickness was ( 100 A?) then we annealed the samples under (673 K) for 30 min. after that we measured the I-V characteristics under forward and reveres bias then we found the saturation current for the samples , Schottky barrier heights , ideality factor at room and low temperatures by using Cryostat System which contain liquid N2 under pressure ( 10 -5 Torr) then we study the temperature effect on these parameters and the Ohmic contact effect.
 
 

  • وصف الــ Tags لهذا الموضوع
  • نبائط شوتكي,خصائص تيار فولتية, ارسنيد الكاليوم

هذه الفقرة تنقلك الى صفحات ذات علاقة بالمقالات الاكاديمية ومنها الاوراق البحثية المقدمة من قبل اساتذة جامعة بابل وكذلك مجموعة المجلات العلمية والانسانية في الجامعة وعدد من المدنات المرفوعة من قبل مشرف موقع الكلية وهي كالاتي:

قسم المعلومات

يمكنكم التواصل مع قسم معلومات الكلية في حالة تقديم اي شكاوى من خلال الكتابة الينا,يتوجب عليك اختيار نوع الرسالة التي تود ان ترسلها لادارة الموقع :